IGBT Transistörler - Modüller
BSM100GB170DN2HOSA1
IGBT MOD 1700V 145A 1000W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM100GB170DN2
BSM100GB170DN2HOSA1 Hakkında
BSM100GB170DN2HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1700V/145A IGBT transistör modülüdür. Half-bridge konfigürasyonunda tasarlanmış bu komponent, maksimum 1000W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V/100A koşullarında 3.9V olan bu modül, güç dönüştürme uygulamalarında, inverter tasarımlarında ve endüstriyel motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Chassi montajlı kasa tipi ile mekanik entegrasyonu basit olup, 150°C junctıon sıcaklığına kadar çalışabilmektedir. Input capacitance değeri 16nF (@25V) olup, standart input kontrol sinyalleri ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 145 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 16 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1000 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok