IGBT Transistörler - Modüller
BSM100GB170DLCHOSA1
IGBT MOD 1700V 200A 960W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM100GB170DL
BSM100GB170DLCHOSA1 Hakkında
BSM100GB170DLCHOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, 1700V kollektör-emiter arası kırılma voltajı ve 200A maksimum kollektör akımı ile çalışır. 960W maksimum güç derecelendirilmesi ile endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürücüler, şarj sistemleri ve motor kontrol devreleri gibi yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Kasaya monte edilen bu modül, -40°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Vce(on) değeri 15V kapı voltajında 100A akımda 3.2V olup, 7nF giriş kapasitansı (Cies) standart giriş kontrolü sağlar. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200 µA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 7 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 960 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok