IGBT Transistörler - Modüller
BSM100GB120DN2KHOSA1
IGBT MOD 1200V 145A 700W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM100GB120DN
BSM100GB120DN2KHOSA1 Hakkında
BSM100GB120DN2KHOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/145A IGBT güç modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, 700W'a kadar güç yönetiminde kullanılır. Maksimum anahtarlama hızı 3V Vce(on) değeri ile 100A akımda gerçekleşir. 6.5 nF giriş kapasitansı ve 150°C işletme sıcaklığı özelliğine sahiptir. Chassis mount tipi montajla sabit kuruluma uygundur. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol sürücüleri, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Son sipariş kısıtlı (Last Time Buy) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 145 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6.5 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 700 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok