IGBT Transistörler - Modüller
BSM100GB120DN2HOSA1
IGBT MOD 1200V 150A 800W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM100GB120DN
BSM100GB120DN2HOSA1 Hakkında
BSM100GB120DN2HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/150A kapasiteli IGBT güç transistör modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, 800W maksimum güç yönetiminde kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 100A akımda 3V ile belirtilmiştir. Chassis mount tipi montaj seçeneği ile sunulan modül, standart input karakteristiğine sahip olup 6.5nF input kapasitansı (Cies @ 25V) gösterir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C (junction sıcaklığı) ve 2mA collector cutoff akımı özellikleriyle endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürme sistemlerinde ve motor kontrol devreleri için uygun bir çözümdür. Modül tipi paketlemesi ile kompakt entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6.5 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 800 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok