IGBT Transistörler - Modüller

BSM100GB120DLCKHOSA1

IGBT MOD 1200V 100A 830W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
BSM100GB120DLC

BSM100GB120DLCKHOSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSM100GB120DLCKHOSA1, 1200V 100A kapasiteli Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. Maximum 830W güç seviyesinde çalışan bu komponent, şasis montajı için tasarlanmıştır. -40°C ile +125°C arasında stabil şekilde çalışabilir. Entegre NTC thermistor ile sıcaklık koruması sağlar. Standard input seviyesine sahiptir. Last Time Buy statüsündedir ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde ve elektrik motor sürücülerinde kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 100 A
Input Standard
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 125°C
Package / Case Module
Part Status Last Time Buy
Power - Max 830 W
Supplier Device Package Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok