IGBT Transistörler - Modüller

BSM100GB120DLCHOSA1

IGBT MOD 1200V 100A 830W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
BSM100GB120DLCHOSA1

BSM100GB120DLCHOSA1 Hakkında

BSM100GB120DLCHOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. 1200V Collector-Emitter gerilim sınırlaması ile 100A maksimum kolektör akımında 830W güç seviyeleri sağlayan bu modül, chassi montajı için tasarlanmıştır. -40°C ile 125°C arasında çalışan modül, entegre NTC termistör özelliği ile sıcaklık koruması sunar. Güç elektroniği uygulamalarında, özellikle konvertörler, invertörler ve motor sürücüleri gibi yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. Modüler yapısı sayesinde hızlı montaj ve bakım imkanı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 100 A
Input Standard
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 125°C
Package / Case Module
Part Status Not For New Designs
Power - Max 830 W
Supplier Device Package Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok