IGBT Transistörler - Modüller
BSM100GAL120DLCKHOSA1
IGBT MOD 1200V 205A 835W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM100GAL120DLCK
BSM100GAL120DLCKHOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSM100GAL120DLCKHOSA1, 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 205A maximum collector akımı ile tasarlanmış IGBT modülüdür. Single chopper konfigürasyonu ile güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 835W maksimum güç kapasitesi ile inverter, konverter, motor sürücü ve enerji dönüştürme sistemlerinde yer alır. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel uygulamalara entegre edilebilir. -40°C ile 125°C aralığında çalışma sıcaklığına sahiptir. 2.6V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single Chopper |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 205 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6.5 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 835 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok