Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSM080D12P2C008
SIC POWER MODULE-1200V-80A
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- BSM080D12P2C008
BSM080D12P2C008 Hakkında
BSM080D12P2C008, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı dual N-Channel MOSFET güç modülüdür. 1200V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 175°C işletme sıcaklığına sahip olan bu modül, güç dönüştürücüleri, inverterler, AC/DC konvertörler ve endüstriyel motor sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Chassis mount tipinde paketlenmiş olan BSM080D12P2C008, 600W maksimum güç dağıtımı kapasitesine ve 4V maksimum gate-source eşik gerilimi değerine sahiptir. SiC teknolojisi sayesinde düşük anahtarlama kaybı ve yüksek verim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 600W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 13.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok