Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

BSL308PEH6327XTSA1

MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
BSL308PEH

BSL308PEH6327XTSA1 Hakkında

BSL308PEH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate sürüşü (4.5V) ile çalışan bu komponent, 30V drain-source voltajında 2A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 80mOhm maksimum on-resistance (Rds) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-6 paketinde sunulan cihaz, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Power distribution, anahtarlama uygulamaları, ses sistemleri ve düşük güçlü kontrol devreleri gibi alanlarda kullanılır. 500pF giriş kapasitansı ve 5nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. SMD montajı için elverişli tasarımı, modern elektronik kartlarda kompakt uygulamaya olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate, 4.5V Drive
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 11µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok