Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSG0813NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- BSG0813NDIATMA1
BSG0813NDIATMA1 Hakkında
BSG0813NDIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual n-channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltaj ve 19A/33A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic level gate sürüş özelliğine sahip olan bu bileşen, 4.5V ile çalışmak üzere optimize edilmiştir. Düşük 3mΩ @ 20A, 10V RDS(on) değeri ile güç verimliliği sunmaktadır. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketi içinde gelmektedir. Motor kontrolü, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 155°C arasında güvenilir çalışma sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A, 33A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 12V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TISON-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok