Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSG0810NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- BSG0810NDIA
BSG0810NDIATMA1 Hakkında
BSG0810NDIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 25V Drain-Source gerilimi ve 19A/39A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde 4.5V sürücü gerilimi ile doğrudan dijital mantık devreleriyle uyumludur. 3mΩ DSon (Max) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. -55°C ile 155°C arasında çalışabilir. 8-PowerTDFN SMD paket türünde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motorcontroller ve yük yönetim devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A, 39A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 12V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TISON-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok