Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- BSD840NH
BSD840NH6327XTSA1 Hakkında
BSD840NH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET dizisidir. 20V drain-source voltaj desteği ile 880mA sürekli drain akımına kapaklıdır. Logic level gate uygulamaları için optimize edilmiş 2.5V Vgs ile çalışabilen bu transistör, 400mOhm maksimum on-resistance değerine sahiptir. SOT-363 (6-VSSOP) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. Düşük gate charge (0.26nC) karakteristiği hızlı switching uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 500mW maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Anahtarlama, motor sürücüleri ve düşük güçlü RF uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 880mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.26nC @ 2.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 880mA, 2.5V |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 1.6µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok