Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSD840N L6327
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- BSD840N
BSD840N L6327 Hakkında
BSD840N L6327, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 880mA sürekli dren akımı ile kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 2.5V gate geriliminde 400mOhm'luk düşük RDS(on) değeri sunar. 6-pin SOT-363 (VSSOP) paketinde sunulan bu dual MOSFET, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, anahtar devreleri ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 500mW güç dissipasyonu ve -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 880mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.26nC @ 2.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 880mA, 2.5V |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 1.6µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok