Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- BSD235
BSD235NH6327XTSA1 Hakkında
BSD235NH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, maksimum 20V Drain-Source voltajında 950mA sürekli dren akımı sağlar. 6-VSSOP (SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulan cihaz, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 4.5V gate voltajında 350mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, dijital lojik sürücü sistemlerinde ve düşük voltajlı kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (0.32nC) ve input capacitance (63pF) özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 950mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.32nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 63pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.6µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok