Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

BSD235N L6327

MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
BSD235N

BSD235N L6327 Hakkında

BSD235N L6327, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain to Source gerilimi ve 950mA sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahiptir. 350mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 6-VSSOP (SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulan BSD235N, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 500mW güç tüketebilir. Hızlı komütasyon ve düşük kapasitif yüke sahip olması sayesinde verimli anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 950mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.32nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 63pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power - Max 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Supplier Device Package PG-SOT363-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.6µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok