Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSD223P
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- BSD223P
BSD223P Hakkında
BSD223P, Infineon Technologies tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. SOT-363 (6-VSSOP) yüzey monte paketinde sunulan bu komponent, 20V drain-source voltaj desteği ve maksimum 390mA continuous drain akımı ile çalışır. Logic level gate özelliğine sahip olan BSD223P, 4.5V gate voltajında 1.2Ω on-resistance değerine ulaşır. Düşük gate charge (0.62nC @ 4.5V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve düşük güç konsumeli elektronik sistemlerde kullanılır. Maksimum 250mW güç tüketimi ile batarya destekli cihazlarda enerji verimliliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 390mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.62nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 56pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.5µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok