Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSC750N10NDGATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- BSC750N10ND
BSC750N10NDGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC750N10NDGATMA1, dual N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 75mOhm on-resistance (10V, 13A'de) ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerVDFN paket içerisinde gelen komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve endüstriyel elektronik devrelerde uygulanabilir. 11nC gate charge ve 720pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 26W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok