Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSC155N06NDATMA1
TRENCH 40<-<100V
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- BSC155N06NDA
BSC155N06NDATMA1 Hakkında
BSC155N06NDATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. TRENCH teknolojisi kullanılarak tasarlanmış bu komponent, 60V drain-source voltajına kadar çalışabilir. 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 15.5mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında verimli şekilde kullanılabilir. 29nC gate charge ve 2250pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren sürücü devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. Surface mount PG-TDSON-8-4 pakette sunulan komponent, 50W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok