Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSC150N03LDGATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- BSC150N03LDG
BSC150N03LDGATMA1 Hakkında
BSC150N03LDGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 2 N-Channel dual MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltajlı sürücü devreleriyle doğrudan uyumludur. 15mΩ (10V, 20A koşullarında) düşük gate direnci, yüksek hızlı anahtarlama ve düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Motor kontrol, güç dönüştürücüleri, LED sürücüleri ve pil yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 8-PowerVDFN paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 26W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok