Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSC112N06LDATMA1
TRENCH 40<-<100V
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- BSC112N06LDA
BSC112N06LDATMA1 Hakkında
Infineon Technologies BSC112N06LDATMA1, dual N-Channel MOSFET transistörü olarak tasarlanmış yüksek entegrasyonlu bir bileşendir. 60V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesi ile, 20A sürekli drenaj akımı sağlar. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol geriliminde (2.2V threshold) çalışabilir. 11.2mOhm'luk düşük on-state direnci (Rds On) ile enerji kaybı minimize edilir. TRENCH teknolojisi kullanılarak geliştirilmiştir. Surface mount PG-TDSON-8-4 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 65W maksimum güç yönetimine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4020pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 28µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok