Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSC0910NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- BSC0910Ndia
BSC0910NDIATMA1 Hakkında
BSC0910NDIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ile 11A veya 31A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, logic level gate kontrolü için 4.5V sürücü gerilimi ile çalışır. 4.6mΩ @ 25A, 10V düşük on-resistance değeri sayesinde enerji dağılımını minimize eder. -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Surface mount 8-PowerTDFN paketi ile sunulan bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücü devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A, 31A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 12V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TISON-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok