Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSC072N03LDGATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- BSC072N03LD
BSC072N03LDGATMA1 Hakkında
BSC072N03LDGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 30V Vdss, 11.5A sürekli dren akımı ve 7.2mOhm RDS(on) değerleri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 8-TDSON paketinde sunulan komponent, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve batarya yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 57W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 41nC gate charge ve 3500pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlamalı devrelerde etkindir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 57W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok