Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BLT80,115
RF TRANS NPN 10V 900MHZ SOT223
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BLT80
BLT80,115 Hakkında
BLT80,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistördür. 900MHz transition frequency ile yüksek frekanslı sinyal işleme ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Surface mount SO-223 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 250mA collector akımı ve 10V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 2W maksimum güç dağıtımına sahiptir. RF alıcı-verici devreleri, yüksek frekanslı amplifikatörler ve uydu haberleşme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Junction sıcaklığında 175°C'ye kadar çalışır. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 250mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 150mA, 5V |
| Frequency - Transition | 900MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Supplier Device Package | SC-73 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok