Transistörler - FET, MOSFET - RF
BLP8G27-10Z
RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
- Üretici
- Ampleon
- Paket/Kılıf
- 16-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BLP8G27
BLP8G27-10Z Hakkında
BLP8G27-10Z, Ampleon tarafından üretilen dual LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) RF transistörüdür. Common Source konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, 65V nominal gerilim ve 28V test geriliminde 110 mA akım sağlar. 2.14 GHz frekans bandında çalışan transistör, 17 dB kazanç ve 2W çıkış gücü sunar. 16-VDFN (6x4mm) DFN paketinde sunulan BLP8G27-10Z, RF güç amplifikatör uygulamalarında, telsiz iletişim sistemlerinde ve mobil haberleşme ekipmanlarında kullanılır. Son üretim günü (Last Time Buy) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 110 mA |
| Frequency | 2.14GHz |
| Gain | 17dB |
| Package / Case | 16-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 2W |
| Supplier Device Package | 16-HVSON (6x4) |
| Transistor Type | LDMOS (Dual), Common Source |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok