Transistörler - FET, MOSFET - RF

BLP8G10S-45PGJ

TRANS LDMOS 45W 4HSOP

Paket/Kılıf
SOT-1223-1
Seri / Aile Numarası
BLP8G10S

BLP8G10S-45PGJ Hakkında

BLP8G10S-45PGJ, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 45W çıkış gücü ve 21dB kazanç özellikleriyle 700MHz ile 1GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 28V nominal voltaj ile beslenebilir. 4-HSOPF paket formatında sunulan transistör, RF amplifikasyon uygulamalarında, mobil haberleşme sistemlerinde, yayın ekipmanlarında ve endüstriyel RF sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Yüksek güç seviyesine sahip olması ve kompakt paket boyutu sayesinde yer tasarrufu gerektiren uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Frequency 700MHz ~ 1GHz
Gain 21dB
Package / Case SOT-1223-1
Part Status Active
Power - Output 45W
Supplier Device Package 4-HSOPF
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok