Transistörler - FET, MOSFET - RF

BLP10H605AZ

RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

Üretici
Ampleon
Paket/Kılıf
12-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
BLP10H605A

BLP10H605AZ Hakkında

BLP10H605AZ, Ampleon tarafından üretilen RF LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) transistörlüdür. Dual kanal Common Source konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, 860MHz frekans bandında çalışmak üzere geliştirilmiştir. 104V nominal çalışma gerilimi ve 5W çıkış gücü ile RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 22.4dB kazanç değeri ile haberleşme, broadcast ve endüstriyel RF sistemlerinde sinyal güçlendirmesi sağlar. 12-VDFN pakette sunulan bileşen, kompakt boyutu ve ısıl yönetim özellikleri sayesinde yüksek entegrasyon gerektiren tasarımlara uygun hale getirilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 30 mA
Frequency 860MHz
Gain 22.4dB
Package / Case 12-VDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Output 5W
Supplier Device Package 12-HVSON (6x5)
Transistor Type LDMOS (Dual), Common Source
Voltage - Rated 104 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok