Transistörler - FET, MOSFET - RF
BLF8G10LS-160,112
RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-502B
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BLF8G10LS
BLF8G10LS-160,112 Hakkında
BLF8G10LS-160,112, Rochester Electronics tarafından üretilen LDMOS tipinde bir RF güç transistörüdür. 920MHz ile 960MHz frekans aralığında çalışmaya uygun olup, 35W çıkış gücü sağlar. 65V nominal voltaj ve 30V test voltajında 1.1A akım ile çalışır, 19.7dB kazanç karakteristiğine sahiptir. SOT-502B paketinde sunulan bu bileşen, ISM bandında ve mobil haberleşme uygulamalarında RF güç amplifikasyonu için tasarlanmıştır. Ultra yüksek frekans uygulamaları, kablosuz iletişim sistemleri ve endüstriyel RF devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.1 A |
| Current Rating (Amps) | 5µA |
| Frequency | 920MHz ~ 960MHz |
| Gain | 19.7dB |
| Package / Case | SOT-502B |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 35W |
| Supplier Device Package | SOT502B |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok