Transistörler - FET, MOSFET - RF
BLF6G27LS-50BN,112
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-1239B
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BLF6G27LS
BLF6G27LS-50BN,112 Hakkında
BLF6G27LS-50BN,112, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) RF güç transistörüdür. SOT-1112B pakette sunulan bu bileşen, 2.5GHz ile 2.7GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 28V test gerilimi altında 430mA akım ile 3W çıkış gücü sağlar. 16.5dB kazanç değeri ile RF güç amplifikatörleri, mobil haberleşme sistemleri ve radyo frekans uygulamalarında kullanılır. 12A akım yeteneği ve 65V nominal gerilim derecelendirmesi ile dayanıklı RF uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 430 mA |
| Current Rating (Amps) | 12A |
| Frequency | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| Gain | 16.5dB |
| Package / Case | SOT-1112B |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 3W |
| Supplier Device Package | CDFM6 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok