Transistörler - FET, MOSFET - RF
BLF6G10LS-200,112
FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-502B
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BLF6G10LS
BLF6G10LS-200,112 Hakkında
BLF6G10LS-200,112, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS tabanlı RF güç transistörüdür. 871.5MHz frekansında çalışan bu bileşen, 65V nominal gerilimde 40W çıkış gücü sağlar. 20.2dB kazanç ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-502B paketinde sunulan transistör, 49A akım kapasitesine ve 28V test geriliminde 1.4A test akımına sahiptir. Mobil haberleşme, broadcast ve endüstriyel RF sistemlerinde power amplifier aşamalarında yaygın olarak uygulanmıştır. Bileşen mevcut üretimdeki listeden çıkarılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.4 A |
| Current Rating (Amps) | 49A |
| Frequency | 871.5MHz |
| Gain | 20.2dB |
| Package / Case | SOT-502B |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 40W |
| Supplier Device Package | SOT502B |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok