Transistörler - FET, MOSFET - RF
BLF4G22S-100,112
FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-502B
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BLF4G22S
BLF4G22S-100,112 Hakkında
BLF4G22S-100,112, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS tipinde RF MOSFET transistörüdür. 65V rated gerilim ile 2.11-2.17GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmış bu bileşen, 25W çıkış gücü ve 13.5dB kazanç sağlar. SOT-502B paketinde sunulan transistör, 12A akım kapasitesi ile RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. Özellikle GSM, WCDMA ve diğer mobil iletişim sistemlerinde RF ön kuvvetlendiriciler, power amplifier modülleri ve baz istasyonu cihazlarında yer almaktadır. 900mA test akımı ve 28V test gerilimi ile karakterize edilen bu bileşen, endüstriyel ve telekomünikasyon uygulamalarında güvenilir performans sunmaktadır. Şu anda üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 900 mA |
| Current Rating (Amps) | 12A |
| Frequency | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Gain | 13.5dB |
| Package / Case | SOT-502B |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 25W |
| Supplier Device Package | SOT502B |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok