Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BGB 540 E6327
RF TRANS NPN 3.5V SOT343-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BGB540
BGB 540 E6327 Hakkında
BGB540 E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi RF transistördür. SOT-343 (SC-82A) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, düşük gürültü katsayısı (1.3-2dB @ 900MHz-1.8GHz) ile karakterize edilmiştir. 3.5V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 30mA maksimum collector akımı ile çalışan transistör, 16-17.5dB kazanç sağlar. 120mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile GSM, CDMA ve diğer mobil haberleşme uygulamalarında RF amplifikasyon aşamalarında kullanılmaya uygundur. 150°C maksimum bağlantı noktası sıcaklığında çalışabilir. Komponentin üretimi sonlandırılmış olup, mevcut stoklar tükenene kadar temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Gain | 16dB ~ 17.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 120mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok