Transistörler - FET, MOSFET - RF
BG5412KE6327HTSA1
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BG5412KE6327
BG5412KE6327HTSA1 Hakkında
BG5412KE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 8V nominal gerilim ile çalışan bu bileşen, RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 800MHz işletme frekansında 24dB kazanç ve 1.1dB gürültü şekli sağlayan bu transistör, düşük güç uygulamalarında (25mA akım kapasitesi) sinyal güçlendirme işlemlerinde tercih edilir. Kompakt 6-pin SOT-363 (SC-88) paketinde sunulan bileşen, mobil iletişim, radyo frekansı vericileri ve alıcı devre tasarımlarında yer bulur. SOT-363 paket standardı yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalara uygun kompakt bir çözüm sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 25mA |
| Frequency | 800MHz |
| Gain | 24dB |
| Noise Figure | 1.1dB |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Voltage - Test | 5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok