Transistörler - FET, MOSFET - RF
BG5120KE6327HTSA1
MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BG5120KE6327
BG5120KE6327HTSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BG5120KE6327HTSA1, dual N-channel MOSFET transistördür. RF amplifier uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 800 MHz frekans aralığında çalışabilir. 8V nominal voltajda ve 20mA akım kapasitesiyle düşük güç RF devrelerinde kullanılır. 23dB kazanç ve 1.1dB gürültü şekli (Noise Figure) özellikleriyle alıcı ön kademelerinde, küçük sinyal RF amplifikasyonunda ve impedans uyarlama devrelerinde uygulanabilir. 6-pin SOT-363 (VSSOP) paketinde sunulmuştur. Not: Bu ürün üreticinin katalogunda kullanımdan kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 20mA |
| Frequency | 800MHz |
| Gain | 23dB |
| Noise Figure | 1.1dB |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Voltage - Test | 5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok