Transistörler - FET, MOSFET - RF
BG3430RE6327HTSA1
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BG3430RE6327HTSA1
BG3430RE6327HTSA1 Hakkında
BG3430RE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 8V nominal voltaj ve 25mA akım kapasitesi ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 800MHz frekans aralığında çalışabilen bu bileşen, 25dB kazanç ve 1.3dB gürültü şekli ile düşük gürültü RF amplifikatör devrelerinde, sinyal işleme uygulamalarında ve RF anahtarlama devrelerinde kullanılır. SOT-363 (6-VSSOP) paket türü ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun kompakt çözüm sağlar. Bileşen şu anda kullanımdan kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 14 mA |
| Current Rating (Amps) | 25mA |
| Frequency | 800MHz |
| Gain | 25dB |
| Noise Figure | 1.3dB |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Voltage - Test | 5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok