Transistörler - FET, MOSFET - RF
BG3130RE6327BTSA1
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BG3130RE6327BTSA1
BG3130RE6327BTSA1 Hakkında
BG3130RE6327BTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 8V rated voltaj ile çalışabilen bu bileşen, 6-VSSOP/SOT-363 paketinde sunulmaktadır. RF uygulamalarda kullanılan bu transistör, 800MHz frekans desteği ile haberleşme sistemleri, radyo frekans amplifikatörleri ve sinyal işleme devrelerinde yer alır. 25mA akım kapasitesi ile 24dB kazanç ve 1.3dB gürültü figürü sağlayan komponent, kompakt tasarımı nedeniyle yüksek yoğunluk gerekli olan PCB uygulamalarında tercih edilir. Dual yapısı sayesinde kanaldan kanala simetrik özellikler sunmakta ve simetrik devre tasarımlarında veri kaynağı olarak işlev görmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 14 mA |
| Current Rating (Amps) | 25mA |
| Frequency | 800MHz |
| Gain | 24dB |
| Noise Figure | 1.3dB |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Voltage - Test | 5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok