Transistörler - FET, MOSFET - RF
BG3130E6327HTSA1
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BG3130E6327HTSA1
BG3130E6327HTSA1 Hakkında
BG3130E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. RF ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8V nominal voltaj derecelendirmesi ile 5V test voltajında 14mA akım kapasitesine sahiptir. 800MHz frekans bandında çalışabilen bu bileşen, 24dB kazanç ve 1.3dB gürültü şekli ile RF amplifikasyon devreleri için uygundur. Kompakt 6-VSSOP (SOT-363) paketinde sunulmaktadır. Cep telefonu, kablosuz iletişim modülleri ve RF ön uç devreleri gibi uygulamalarda kullanılabilir. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 14 mA |
| Current Rating (Amps) | 25mA |
| Frequency | 800MHz |
| Gain | 24dB |
| Noise Figure | 1.3dB |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Voltage - Test | 5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok