Transistörler - FET, MOSFET - RF
BG3123RH6327XTSA1
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BG3123RH6327XTSA1
BG3123RH6327XTSA1 Hakkında
BG3123RH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 8V derecelendirilmiş bu bileşen, RF uygulamalarında kullanılan yüksek frekanslı bir transistördir. 800MHz çalışma frekansında 25dB kazanç sağlayan ve 1.8dB gürültü figürüne sahip bu transistör, 25mA akım kapasitesine ve 6-VSSOP (SOT-363) paketlemesine sahiptir. Genellikle RF amplifikatör devreleri, düşük gürültü ön uç amplifikatörleri ve HF alıcı uygulamalarında kullanılır. Test koşullarında 5V gerilim ve 14mA akım ile çalışmaktadır. Kompakt boyutu nedeniyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun şekilde tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 14 mA |
| Current Rating (Amps) | 25mA, 20mA |
| Frequency | 800MHz |
| Gain | 25dB |
| Noise Figure | 1.8dB |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Voltage - Test | 5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok