Transistörler - FET, MOSFET - RF
BG3123RE6327HTSA1
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BG3123RE6327HTSA1
BG3123RE6327HTSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BG3123RE6327HTSA1, dual N-channel MOSFET transistör olup 6-VSSOP (SOT-363) paketinde sunulmaktadır. 8V nominal gerilim ile tasarlanan bu bileşen, 800MHz frekans aralığında RF uygulamalarında kullanılır. 25dB kazanç ve 1.8dB gürültü figürü özellikleri ile sinyal işleme devrelerinde, düşük gürültülü amplifikatör ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. 25mA ve 20mA akım derecelendirmesi ile sağlanan esneklik, çeşitli RF ve mikrodalgalandırma devrelerine entegrasyon imkanı verir. Bileşen artık üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 14 mA |
| Current Rating (Amps) | 25mA, 20mA |
| Frequency | 800MHz |
| Gain | 25dB |
| Noise Figure | 1.8dB |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Voltage - Test | 5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok