Transistörler - FET, MOSFET - RF
BG3123H6327XTSA1
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BG3123H6327XTSA1
BG3123H6327XTSA1 Hakkında
BG3123H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 8V rated voltaj ve 25mA akım kapasitesi ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 800MHz çalışma frekansı, 25dB kazanç ve 1.8dB noise figure özellikleri ile düşük gürültü amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. 6-VSSOP (SOT-363) paketinde sunulan bu bileşen, portatif haberleşme cihazları, mobilya ve başka RF kontrol devrelerinde RF sinyal işleme aşamalarında uygulanmaktadır. Dual kanal yapısı, kompakt tasarım gerektiren uygulamalarda alan tasarrufu sağlamaktadır. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 14 mA |
| Current Rating (Amps) | 25mA, 20mA |
| Frequency | 800MHz |
| Gain | 25dB |
| Noise Figure | 1.8dB |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Voltage - Test | 5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok