Transistörler - FET, MOSFET - RF
BG3123E6327HTSA1
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- BG3123E6327HTSA1
BG3123E6327HTSA1 Hakkında
BG3123E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. SOT-363 (6-VSSOP) paketinde sunulan bu bileşen, RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8V nominal çalışma geriliminde 25mA akım kapasitesine sahiptir. 800MHz frekans aralığında 25dB kazanç ve 1.8dB gürültü figürü sağlar. Düşük güç tüketimi ve kompakt paket boyutu nedeniyle mobil iletişim, RF amplifikatör ve sinyal işleme devrelerinde uygulanır. Bileşen artık üretilmemektedir ancak mevcut stoklar bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 14 mA |
| Current Rating (Amps) | 25mA, 20mA |
| Frequency | 800MHz |
| Gain | 25dB |
| Noise Figure | 1.8dB |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Voltage - Test | 5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok