Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFY193PZZZA1
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- MICRO-X1
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFY193
BFY193PZZZA1 Hakkında
BFY193PZZZA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 7.5GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V maksimum collector-emitter voltajı ve 80mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 2GHz'de 2.3-2.9dB arasında gürültü figürü sunarak düşük gürültülü RF amplifikatör devreleri için uygun bir seçenektir. Surface mount MICRO-X1 paketinde sunulan bu transistör, uydu haberleşme, radar sistemleri, mobil iletişim ve diğer RF ön-amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 580mW maksimum güç kapasitesi ve 50 (minimum) DC akım kazancı ile RF sinyal işleme tasklarında etkin performans sunar. Lütfen dikkat: bu ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 30mA, 8V |
| Frequency - Transition | 7.5GHz |
| Gain | 12.5dB ~ 13.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 200°C (TJ) |
| Package / Case | MICRO-X1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 580mW |
| Supplier Device Package | MICRO-X1 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok