Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFU730LXZ
RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFU730
BFU730LXZ Hakkında
BFU730LXZ, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistöründür. 53GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 3V collector-emitter breakdown voltajında 30mA maksimum collector akımı sağlar. 0.75dB noise figure özelliği ile hassas sinyal işleme devrelerinde, özellikle düşük gürültü amplifikatörleri (LNA), mixer ve oscillator uygulamalarında tercih edilir. 160mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç gerektiren portable ve mobil haberleşme sistemlerinde kullanılır. 3-XFDFN (DFN1006C-3) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, DC current gain 205 (2mA, 3V'de) ile kararlı amplifikasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 205 @ 2mA, 3V |
| Frequency - Transition | 53GHz |
| Gain | 15.8dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.75dB @ 6GHz |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 160mW |
| Supplier Device Package | DFN1006C-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok