Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFU730F,115
RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-343F
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFU730F
BFU730F,115 Hakkında
BFU730F,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans RF NPN bipolar transistördür. 55GHz transition frequency ve 2.8V collector-emitter breakdown voltage ile çalışan bu komponent, mikrodalgalı haberleşme ve RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT-343F paketinde sunulan transistör, 5.8GHz ile 12GHz arasında 0.8-1.3dB noise figure sağlar. 30mA maksimum collector akımı ve 197mW güç kapasitesi ile mobil haberleşme sistemleri, uydu iletişimi ve endüstriyel RF devrelerinde yer bulur. 150°C'ye kadar çalışan bu komponent, düşük noise gerektiren LNA (Low Noise Amplifier) ve driver amplifier tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 205 @ 2mA, 2V |
| Frequency - Transition | 55GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-343F |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 197mW |
| Supplier Device Package | 4-DFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.8V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok