Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFU725F/N1,115
RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-343 Reverse Pinning
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFU725F
BFU725F/N1,115 Hakkında
BFU725F/N1,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. SOT-343 paketinde sunulan bu bileşen, 55GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.8V maksimum collector-emitter gerilimi ve 40mA maksimum collector akımı ile çalışabilen transistör, 1.5GHz ile 12GHz arasında 0.42dB ile 1.1dB arasında noise figure sunmaktadır. 160 minimum DC current gain (hFE) ve 10dB-24dB gain karakteristiği ile bu cihaz, ön uç RF amplifikatörleri, alıcı uygulamaları ve geniş bant sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. 136mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç gerektiren taşınabilir ve endüstriyel RF sistemlerinde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 10mA, 2V |
| Frequency - Transition | 55GHz |
| Gain | 10dB ~ 24dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-343 Reverse Pinning |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 136mW |
| Supplier Device Package | 4-SO |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.8V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok