Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFU660F,115

RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP

Paket/Kılıf
SOT-343F
Seri / Aile Numarası
BFU660F

BFU660F,115 Hakkında

BFU660F,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans RF NPN bipolar transistörüdür. 21GHz transition frekansı ile geniş bant RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5.5V maksimum collector-emitter gerilimi ve 225mW maksimum güç tüketimi ile sınırlı enerji bütçesine sahip uygulamalara uygundur. 0.6dB ile 1.2dB arasında değişen düşük gürültü şekli, hassas alıcı devrelerinde tercih edilmesini sağlar. 12dB ile 21dB arasında değişken kazanç ve 60mA maksimum collector akımı ile frekans dönüştürücüler, LNA (Low Noise Amplifier) ve RF buffer amplifikatör uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT-343F paketinde sunulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 60mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition 21GHz
Gain 12dB ~ 21dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-343F
Part Status Active
Power - Max 225mW
Supplier Device Package 4-DFP
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5.5V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok