Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFU630F,115
RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-343F
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFU630F
BFU630F,115 Hakkında
BFU630F,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans RF NPN bipolar transistörüdür. 21GHz transition frequency ile ultra yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5.5V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 30mA collector akımı ile çalışır. 0.75-1.3dB noise figure karakteristiğine sahip olup, 1.5GHz ile 5.8GHz frekans aralığında 13-22.5dB kazanç sağlar. 200mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile RF amplifikatör, LNA (Low Noise Amplifier) ve high-frequency switching uygulamalarında tercih edilir. SOT-343F (4-DFP) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 5mA, 2V |
| Frequency - Transition | 21GHz |
| Gain | 13dB ~ 22.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-343F |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | 4-DFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok