Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFU580GX
RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFU580
BFU580GX Hakkında
BFU580GX, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 11GHz transition frequency ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 60mA maksimum kollektör akımı, 12V breakdown voltajı ve 1W maksimum güç yeteneğine sahiptir. 1.4dB tipik gürültü şekli (1.8GHz'de) ölçülerek hassas RF alıcı devreleri için uygundur. Surface mount SOT223 paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Mikrodalga amplifikatörleri, LNA devreleri ve diğer yüksek frekans uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 30mA, 8V |
| Frequency - Transition | 11GHz |
| Gain | 10.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.4dB @ 1.8GHz |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Supplier Device Package | SC-73 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok