Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFU550AVL

RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BFU550A

BFU550AVL Hakkında

BFU550AVL, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 11GHz transition frekansı ve 1.4dB noise figure ile RF amplifikatör uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V maksimum Vce derecelendirilmesi, 50mA maksimum kollektor akımı ve 450mW güç dissipasyonu kapasitesi ile portable cihazlarda ve düşük güçlü RF devrelerinde uygulanabilir. Surface mount SOT-23 (TO-236AB) paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition 11GHz
Gain 12dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.4dB @ 1.8GHz
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 450mW
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok