Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFU550AR

RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BFU550A

BFU550AR Hakkında

BFU550AR, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 11GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V maksimum kolektör-emitter gerilimi, 50mA maksimum kolektör akımı ve 450mW güç kapasitesine sahiptir. 900MHz'de 0.6dB gürültü figürü ile düşük gürültülü RF amplifikatör uygulamalarında tercih edilir. Yüksek kazanç (18dB) ve kararlı frekans karakteristiği sayesinde, mobil haberleşme, radar, uydu haberleşmesi ve diğer RF alıcı/verici devreleri için uygundur. SOT-23 (TO-236AB) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-40°C ~ 150°C) güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition 11GHz
Gain 18dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.6dB @ 900MHz
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 450mW
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok