Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFU530XVL

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

Paket/Kılıf
TO-253-4
Seri / Aile Numarası
BFU530

BFU530XVL Hakkında

BFU530XVL, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 11GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT-143B yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 40mA kolektör akımı ve 12V koletör-emitör kırılma gerilimi ile çalışabilir. 1.1dB gürültü şekli ve 16.5dB kazanç özellikleri ile düşük gürültülü amplifikatör devrelerinde ve RF ön ucunda (frontend) uygulanabilir. -40°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bu transistör, endüstriyel haberleşme, radar, uydu ve kablosuz iletişim sistemlerinde tercih edilir. Maksimum 450mW güç tüketimi ile kompakt ve verimli tasarımlar mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 40mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition 11GHz
Gain 16.5dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1.8GHz
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-253-4, TO-253AA
Part Status Active
Power - Max 450mW
Supplier Device Package SOT-143B
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok